带有超薄磷化铌暴露图案的芯片。图片源泉：好意思国斯坦福大学
据发表在《科学》杂志上的一项最新料到，好意思国斯坦福大学料到东说念主员初次发现一种非晶体材料磷化铌，在制造芯片上的超薄暴露时，独一几个原子厚的磷化铌薄膜导电能力比铜更好。此外，这种薄膜可在较低温度下千里积坐褥，与当代瞎想机芯片相兼容。这种新材料在过去的纳米电子学限制极具后劲，有望带来功能更强、更节能的电子居品西瓜影音播放器，匡助惩处现时电子居品中的电力和能耗问题。
跟着瞎想机芯片越来越小、越来越复杂，在芯片中传输电信号的超薄金属线已成为一个薄弱门径。跟着暴露更细更薄，程序金属线的导电能力会变差，最终截止纳米级电子居品的尺寸、成果和性能。
而新式导体磷化铌是拓扑半金属，其通盘材料齐可导电，但外名义比中间导电性更好。跟着磷化铌薄膜变薄，中间部分放松，但其名义积不变以致更大，更好的名义导电能力使通盘材料成为更好的导体。另一方面，铜等传统金属一朝薄于50纳米，导电能力会变得更差。
料到东说念主员发现，即使在室温下职责，磷化铌在薄膜厚度低于5纳米时，导电性也比铜更好。在这种尺寸下，铜线难以跟上快速辐照的电信号，并耗散更多的热能。
此前，料到东说念主员一直在寻找可用于纳米电子限制的导电材料，但到现在为止，最佳的候选材料齐有极其精准的晶体结构，要在极度高温度下能力酿成。这次料到制造的磷化铌薄膜，有望成为更理念念的导体，也为探索欺诈其他拓扑半金属制造超薄电路铺平了说念路。
料到露馅，磷化铌薄膜可在相对较低温度下酿成。在400℃下，料到东说念主员可将磷化铌千里积为薄膜，这一温度可幸免损坏或大致现存的硅瞎想机芯片。
料到东说念主员指出西瓜影音播放器，磷化铌薄膜并不会快速取代扫数瞎想机芯片中的铜，在制造较厚暴露和电线时，铜仍然是更好的收受，而磷化铌更适用于最薄处的纠合。( 记者张梦然)